The surface emitting laser and laser projector

本発明は、半導体基板（２ａ）上に形成された活性層（３）と、前記活性層（３）にキャリアを注入する一対の上部電極（５）及び下部電極（６）とを有する面発光レーザ（１００ａ）において、該下部電極（６）の平面形状を、該下部電極（６）から前記活性層（３）への電流の注入が、該下部電極（６）の中心部分では高い電流密度で、その周辺部分では低い電流密度で行われるよう星型形状としたものである。 この面発光レーザ（１００ａ）では、面発光レーザの活性層に注入するキャリアの密度分布が、活性層内での光のパワー分布に応じた分布となり、これにより、活性層の、電極周辺部に対応する領域での電流密度の増大によるホールバーニングの発生を回避して、高出力時の横モード安定性を大幅に増大させて高出力特性の向上を図ることができる。