CO在U2N（3＋x）Oy薄膜表面反应特性研究

采用磁控溅射沉积方法在Si基底表面制备U2N3＋xOy薄膜,采用X光电子能谱（XPS）分析技术观测CO气氛环境下U2N3＋xOy薄膜表面腐蚀行为,以期获得U2N3＋xOy薄膜在CO环境下的表面腐蚀机理。结果表明：超高真空条件下,CO在U2N3＋xOy薄膜表面表现为氧化特性;CO在薄膜表面吸附解离生成的C以无定形碳形式聚集在薄膜表面,深度剖析过程中并未观察到C向U2N3＋xOy薄膜内部扩散;而解离生成的氧在薄膜内扩散并发生氧化反应,生成高价氧化物或铀氮氧化物和氮。氧化反应生成的氮向薄膜内部扩散,并在次表面反应生成富氮中间产物。随着CO暴露反应进程的推进,富氮层逐渐向薄膜内部迁移,这是导致U4f谱卫星峰变化的主要原因。