Procede de production de structures monocristallines

Pour obtenir des croissances epitaxiales selon l'etat de la technique, on doit souvent realiser plusieurs bandes pour reformer une zone a reparer. Cela conduit a un chevauchement et a un defaut d'orientation des structures cristallines. Avec le procede selon l'invention, la bande est d'une largeur telle qu'il n'y a pas de chevauchement car elle est adaptee au contour de la zone a reparer.