Etching method for a silicon

【課題】シリコンのエッチングレートを向上させる。 【解決手段】フッ素系原料のＣＦ ４ とＡｒの混合ガスに露点が１０℃〜４０℃になる量の水を添加して、大気圧下でプラズマ化する。 プラズマ化後のガスをオゾナイザー１３からのオゾン含有ガスと混合し、反応ガスを得る。 反応ガスは、１ｖｏｌ％以上のオゾンと、ＣＯＦ ２ 等の非ラジカルのフッ素系中間物質と、０．４ｖｏｌ％以上のＨＦ等のフッ素系反応物質を含み、フッ素原子数（Ｆ）と水素原子数（Ｈ）の比が（Ｆ）／（Ｈ）＞１．８である。 この反応ガスを、温度１０℃〜５０℃のシリコン膜９１（被処理物）に吹付ける。 【選択図】図１