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単層と二層遷移金属ジカルコゲニド(TMD)MOSFETを用いた低電圧SRAMのセル安定性および書込み能力に及ぼすランダム変動の影響
単層と二層遷移金属ジカルコゲニド(TMD)MOSFETを用いた低電圧SRAMのセル安定性および書込み能力に及ぼすランダム変動の影響
2016
Yu-Chang Hung
Su Pin
Chuang Ching-Te
Keywords:
Analytical chemistry
Chemical physics
Chemistry
Nanotechnology
Electronic engineering
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