Schaltbauelement oder Speicherbauelement hoher Speicherdichte auf Basis Hf- oder Zr-haltiger Dielektrika

Elektronisches Bauelement mit einer Schichtfolge, die eine dielektrische Schicht zwischen halbleitenden oder metallisch leitfahigen Schichten enthalt, wobei die dielektrische Schicht Hafniumoxid oder Zirkoniumoxid oder eine Kombination von Hafniumoxid und Zirkoniumoxid enthalt, dadurch gekennzeichnet, dass der dielektrischen Schicht mindestens ein Zusatzstoff aus einer Gruppe Zusatzstoffe, die aus Barium, Strontium, Titan und Tantal besteht, zugesetzt ist, wobei die dielektrische Schicht ausgebildet ist, bei Anliegen einer ersten Schaltspannung mindestens einer ersten Kombination von Polaritat und Betrag zwischen den halbleitenden oder metallische leitfahigen Schichten von einem ersten Zustand hoheren elektrischen Widerstands in einen zweiten Zustand niedrigeren elektrischen Widerstands zu schalten, und nach Ende des Anliegens der ersten Schaltspannung bei Anliegen einer zweiten Schaltspannung mindestens einer zweiten Kombination von Polaritat und Betrag vom zweiten Zustand in den ersten Zustand zuruckzuschalten.