Nickelage selectif de structures en aluminium, en cuivre et en tungstene

L'invention concerne un procede de nickelage selectif d'une structure intermediaire d'un dispositif a semiconducteur. Le procede consiste a: mettre en oeuvre une structure intermediaire d'un dispositif a semiconducteur comprenant au moins une structure en aluminium ou en cuivre et au moins une structure en tungstene. La structure en aluminium ou en cuivre ou la structure en tungstene est nickelee tandis que l'autre ne l'est pas. La structure en aluminium ou en cuivre ou la structure en tungstene peut d'abord etre activee pour la preparer au nickelage. La structure en aluminium ou en cuivre activee ou la structure en tungstene activee peut ensuite etre nickelee par immersion de la structure intermediaire du dispositif a semiconducteur dans une solution de nickelage autocatalytique. La structure en aluminium ou en cuivre non metallisee ou la structure en tungstene non metallisee peut ensuite etre nickelee par activation de la structure non metallisee et nickelage de la structure activee. L'invention concerne en outre un procede de metallisation simultanee de la structure en aluminium ou en cuivre et de la structure en tungstene, ainsi qu'une structure intermediaire d'un dispositif a semiconducteur.