Composants a semiconducteur et leurs procedes de fabrication

L'invention concerne des composant a semi-conducteurs comportant des transistors possedant des materiaux dielectriques de grille differents, ainsi que leurs procedes de fabrication. Un mode de realisation inclut un composant a semiconducteur comportant une piece de fabrication, la piece de fabrication incluant une premiere region et une seconde region a cote de la premiere region. Un premier transistor est place dans la premiere region de la piece de fabrication, le premier transistor possedant au moins deux premieres electrodes de grille. Un premier dielectrique de grille est place a proximite de chacune de la ou des deux premieres electrodes de grille, le premier dielectrique de grille comprenant une premiere matiere. Un second transistor est place dans la seconde region de la piece de fabrication, le second transistor possedant au moins deux secondes electrodes de grille. Un second dielectrique de grille est place a proximite de chacune de la ou des deux secondes electrodes de grille, le second dielectrique de grille comprenant une seconde matiere. La seconde matiere est differente de la premiere matiere.