Impact du recuit d'activation sur la passivation par Al2O3 du silicium type p Cz

L'Al2O3 depose par ALD est un dielectrique bien connu pour la passivation de surface du silicium type-p. Cependant, une etape de recuit post-depot est necessaire pour activer la passivation. Grâce a des mesures de densites de charges effectives, de defauts d'interface, temps de vie de porteurs de charges, XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), sur le meme echantillon, une description duprocessus d'activation est donnee. La presence d'hydrogene et d'oxygene est reliee a l'evolution des parametres electriques pour un recuit de 30min a 450°C pour du silicium type p Cz.