Dispositif a semi-conducteur au nitrure, son procede de fabrication et appareil optique a semi-conducteur

Cette invention se rapporte a une dispositif laser a semi-conducteur au nitrure beneficiant d'une reduction des defauts de cristaux internes et d'un allegement des contraintes, ainsi qu'a un appareil optique a semi-conducteur comprenant ce dispositif laser a semi-conducteur au nitrure. On forme d'abord un film de suppression de croissance s'opposant a la croissance de cristaux GaN sur la surface d'un substrat GaN de type n pourvu de bandes alternees de zones de dislocation concentree presentant une densite elevee de defauts de cristaux et de zones de faible dislocation, destinees a recouvrir les zones de dislocation concentrees. On superpose ensuite a ce substrat GaN de type n recouvert de film de suppression de croissance une couche de semi-conducteur au nitrure par croissance epitaxiale de cristaux de GaN. Puis, on retire le film de suppression de croissance, afin de regler la distance laterale entre une zone de guide d'onde laser et la zone de dislocation concentree la plus proche sur une dimension egale ou superieure a 40 νm.