Excitation a double frequence d'un plasma pour deposition de film

La presente invention concerne un appareil permettant de deposer un film de qualite elevee sur un substrat transparent d'un reacteur. Le substrat transparent est constitue de verre, de quartz ou d'un polymere tel que du plastique. On chauffe ce substrat dans une chambre de traitement et on introduit un flux de gaz de traitement dans ladite chambre. L'appareil produit une sortie d'energie haute frequence et une sortie d'energie basse frequence a partir respectivement d'une source d'alimentation haute frequence et d'une source d'alimentation basse frequence. La sortie d'energie haute frequence est produite a une frequence d'au moins environ 13 megahertz et pour une puissance d'environ 1 a 5 kilowatts alors que la sortie d'energie basse frequence est produite a une frequence d'environ 2 megahertz au maximum et pour une puissance d'environ 300 a 2 kilowatts. La sortie d'energie haute et la sortie d'energie basse frequence qui sont superposees, servent a exciter un plasma a partir du flux de gaz de traitement a une pression comprise entre environ 0.4 Torr et 3 Torr pour une temperature se situant entre pres 250 °C et 450 °C de maniere a deposer sur le substrat transparent un film mince lisse.