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横型オーバーフロー蓄積容量を用いた飽和電荷量120ke-,変換ゲイン160µV/e-を有する2.8µm裏面照射型画素の光学特性
横型オーバーフロー蓄積容量を用いた飽和電荷量120ke-,変換ゲイン160µV/e-を有する2.8µm裏面照射型画素の光学特性
2019
takesi miyauti
kazuya jou
kou takayanagi
jun'iti nakamura
sei ri sugawa
Keywords:
Electronic engineering
Image sensor
Computer science
Wide dynamic range
Optoelectronics
Materials science
single exposure
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