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横型オーバーフロー蓄積容量を用いた飽和電荷量120ke⁻,変換ゲイン160μV/e⁻を有する2.8μm裏面照射型画素の光学特性 (情報センシング)
横型オーバーフロー蓄積容量を用いた飽和電荷量120ke⁻,変換ゲイン160μV/e⁻を有する2.8μm裏面照射型画素の光学特性 (情報センシング)
2019
takesi miyauti
kazuya jou
kou takayanagi
jun'iti nakamura
sei ri sugawa
Keywords:
Wide dynamic range
Electronic engineering
Computer science
Image sensor
Materials science
Optoelectronics
single exposure
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