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16kV級超高耐圧SiC nチャネル型IE‐IGBTの開発 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)
16kV級超高耐圧SiC nチャネル型IE‐IGBTの開発 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)
2014
satoru kyou mizusima
kensuke takenaka
hiroyuki fuzisawa
tomohisa katou
sinsuke harada
ho sen tanaka
mituo okamoto
man someya
dai okamoto
tyuugi deguti
man yosikawa
katuki ta tera
syou akira miyazima
hirosi kimura
yosiyuki yonezawa
kenzi fukuda
moto okumura
naoki kumagaya
sin'itirou matunaga
gaku takei
akihiro ootuki
atutugu tanaka
syuuzi ogata
kouzi nakayama
tosihiko hayasi
katunori asano
tune nobu kimoto
Keywords:
Electrical engineering
Materials science
Insulated-gate bipolar transistor
n channel
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