基板処理方法，基板処理装置，記録媒体

【課題】基板上にエッチング処理により形成された凹部に露出する低誘電率絶縁膜から水分を脱離させた上で新たな水分を吸収し難くすることができるとともに，エッチング処理などにより凹部に露出する金属層に形成された不所望の金属化合物を除去する。 【解決手段】ウエハを所定の温度に加熱しつつ，このウエハ上に水素ラジカルを供給することによって，凹部に露出した金属層の表面をクリーニングするとともに，低誘電率絶縁膜を脱水する水素ラジカル処理工程（ステップＳ１３０）と，水素ラジカル処理が施されたウエハに所定の処理ガスを供給することによって，凹部に露出した低誘電率絶縁膜を疎水化する疎水化処理工程（ステップＳ１５０）とを有し，水素ラジカル処理工程と疎水化処理工程とを大気に晒すことなく連続して行う。 【選択図】図７