Effacement et programmation d'un dispositif a memoire organique et procedes de fonctionnement et de fabrication

L'invention porte sur une cellule de memoire organique (100, 1300, 1500) constituee de deux electrodes (104, 110, 1304, 1306, 1502, 1504) entre lesquelles est place un support selectivement conducteur (106/108, 1308) qui contient une couche organique (108, 300, 400, 500) et une couche passive (106, 200). Le support selectivement conducteur (106/108, 1308) est programme par application de tensions de polarisation qui programment un etat d'impedance desire (1301, 1302, 1303) pour une cellule de memoire (100, 1300, 1500). Cet etat d'impedance desire (1301, 1302, 1303) represente un ou plusieurs bits d'information et la cellule de memoire (100, 1300, 1500) ne necessite pas une puissance constante ou des cycles de rafraichissement pour maintenir l'etat d'impedance desire. En outre, le support selectivement conducteur (106/108, 1308) est lu par application d'un courant et par releve de l'impedance du support (106/108, 1308) afin de determiner l'etat d'impedance (1301, 1302, 1303) de la cellule de memoire (100, 1300, 1500). L'invention porte sur des procedes de fabrication de dispositifs/cellules de memoire organique (100, 1300, 1500),sur leurs procedes d'utilisation et sur des dispositifs tels que des ordinateurs contenant les dispositifs/cellules de memoire organique (100, 1300, 1500).