フォトマスクの欠陥検査方法、半導体装置の製造方法、およびフォトマスクの製造方法

【課題】所要時間の少ないフォトマスクの欠陥検査方法を提供する。 【解決手段】マスクデータと一致する、もしくはマスクデータに少なくとも線幅に関するプロセス変換差補正が施されることにより作製された、描画データを用いて作製されたフォトマスクの欠陥を検査する方法であり、以下の工程を具備する。描画データを用いて作製されるフォトマスクのパターンの平面形状と実質的に一致するように、マスクデータのパターンに補正を行うことにより検査データが作製される。検査データのパターンと、作製されたフォトマスクのパターンと、が比較される。検査データのパターンと作製されたフォトマスクのパターンとの間で平面形状が一致しない部分が抽出される。平面形状が一致しない部分の中から、欠陥部が識別される。 【選択図】 図１