Gravure sèche uniforme en deux étapes

Cette invention concerne un procede de gravure d'oxyde de silicium issu de plusieurs tranchees, ledit procede permettant des vitesses de gravure plus homogenes entre les tranchees. Les surfaces d'oxyde de silicium grave dans la tranchee apres gravure peuvent egalement etre plus lisses. Le procede comporte deux etapes de gravure seche suivies d'une etape de sublimation. La premiere etape de gravure seche elimine l'oxyde de silicium rapidement et produit des granules de residus solides de grande taille. La seconde etape de gravure seche elimine l'oxyde de silicium lentement et produit des granules de residus solides de petite taille parmi les granules de residus solides de grande taille. Les residus solides de petite taille et de grande taille sont elimines lors de l'etape suivante de sublimation. Il n'existe pas d'etape de sublimation entre les deux etapes de gravure seche.