电沉积太阳电池用Cu（In，Ga）Se2薄膜

在M0基底上，采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu（In，Ga）Se2薄膜，用HCl调节pH值为2．5，并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20min。对退火前后的膜进行X射线衍射，扫描电镜和能谱分析仪分析，结果表明，电沉积制备的Cu（In，Ga）Se2薄膜为黄铜矿结构，退火后，共沉积薄膜的结晶度提高，晶粒尺寸增加，Xe含量减少。