A GaAs power FET suitable for monolithic integration with laser-processed gate and drain via connections

Description d'un nouveau format de dispositif en hyperfrequences combinant les technologiques de pastilles appliquees et de connexion a travers des passages et evitant bien des compromis inherents aux circuits monolithiques usuels, ce qui est particulierement important dans les applications a grande puissance. Revue des principes de rationalisation du format. Description de la nouvelle technique de percage des passages dans les substrats semi-isolants epais (H<0,37 mm) par laser. Des dispositifs discrets preliminaires avec connexions par passages a la grille et au collecteur sont fabriques. Ils fonctionnenet jusqu'a 18 GHz. Caracteristiques a 12 GHz d'un transistor a effet de champ en GaAs. Puissance de sortie d'un circuit a parametres localises de deux cellules. Rendements