Procédé de dépôt de sio2 conforme à faible température

L'invention concerne des procedes de controle des dimensions critiques de caracteristiques de taille reduite lors de la fabrication de semi-conducteurs par multiplication des espaces. La multiplication des espaces est realisee en creant des motifs de structures masquees par des techniques de photoresist classiques, puis en transferant les motifs sur un materiau sacrificiel. Des regions d'espaceur sont ensuite formees sur les surfaces verticales des motifs transferes apres le depot d'un materiau conforme par depot d'une couche atomique. Les regions d'espaceur, et donc les caracteristiques de taille reduite, sont ensuite transferees sur un substrat de semi-conducteur.