レジスト材料、これを用いたパターン形成方法、並びに重合性モノマー及び高分子化合物

【解決手段】カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、一般式（１）で示される繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているレジスト材料。 （式中、Ｒ 1 はメチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基、Ｒ 2 は水素原子又はメチル基である。ｍは１〜４の整数である。） 【効果】本発明のレジスト材料は、酸の拡散を抑える効果が高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはＥＢ描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＢあるいはＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なレジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 【選択図】なし