ＧａＮ基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置、およびＧａＮ基板の製造方法

【課題】発光効率を向上させた発光素子などの半導体装置を得ることが可能なＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。 【解決手段】ＧａＮ基板は、主表面を有するＧａＮ基板であって、主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］に対応するベクトルＡＢを、互いに異なる２つのオフ角θ１およびθ２だけ傾斜させたベクトルＡＤの方向に傾斜させる。 【選択図】図４