基于Al 2 O 3 /Pt纳米晶/HfO 2 叠层的MOS电容存储效应研究

采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法，研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响，结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为30×10 11 cm -2 的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al 2 O 3 /Pt纳米晶/HfO 2 叠层的MOS电容结构的存储效应，表明其在-3—+8 V扫描电压范围下 C - V<