Mémoire non volatile 3d à grilles de sélection de ligne de mot supplémentaires

L'invention porte sur des dispositifs de memoire empiles 3D comprenant des grilles de selection de ligne de mot (WL) (229). Le dispositif de memoire empile 3D pourrait comporter des chaines NAND. Les grilles de selection de WL peuvent etre situees adjacentes a une zone de raccordement de ligne de mot (301) d'une plaque de lignes de mot. La plaque de lignes de mot peut etre attaquee par un circuit d'attaque de plaque de lignes de mot et peut comporter de nombreuses lignes de mot. Les grilles de selection de WL peuvent selectionner des lignes de mot individuelles ou des groupes de lignes de mot. En consequence, des unites plus petites que le bloc entier peuvent etre selectionnees. Cela peut reduire la charge capacitive. Les grilles de selection de WL peuvent comporter des transistors en couches minces (231, 402, 404). Un decodage 3D peut etre assure dans un dispositif de memoire empile 3D au moyen des grilles de selection de WL.