两个子带占据的In 0.53 Ga 0.47 As/In 0.52 Al 0.48 As量子阱中填充因子的变化规律

研究了低温(15K)和强磁场(0—13T)条件下， InP基In 053 Ga 047 As/In 052 Al 048 As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明，在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下，如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时，即Δ E 21 = kω c (其中 k 为整数)，填充因子为偶数；当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时，即Δ E 21 =(2 k +1) ω c /2，填充因子出现奇数.