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808nm InGaAsP—InP单量子阱激光器热特性研究
2006
从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP—InP单量子阱激光器热特性进行了研究．实验表明，在2370℃的温度范围内，器件的功率由1．74W降到0．51W，斜率效率由1．08W／A降到0．51W／A．实验测得其特征温度T0为325K．激射波长随温度的漂移dZ／dT为0，44nm／℃．其芯片的热阻为3．33℃／W.
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