Analyse de la robustesse des MOSFET SiC pour les applications diode-less

Le carbure de silicium, SiC, presente plusieurs avantages par rapport au silicium pour des applications en electronique de puissance, notamment en termes de faibles pertes. Neanmoins, la maturite technologique n'est pas totalement acquise et des problemes de fiabilite persistent. Ce papier presente l'etude de l'utilisation des MOSFET SiC sur des applications de type onduleur «diode-less», ainsi que les differents phenomenes associes, parmi lesquels la degradation de l'oxyde de grille. Plusieurs composants ont ete testes et caracterises periodiquement dans le cas d'un fonctionnement sous conduction inverse. Suite a cette caracterisation, il est observe une derive de la tension de seuil fortement dependante du rapport cyclique. Toutefois la jonction P-N ne montre pas de degradation importante.