纳米硅薄膜四岛-梁-膜传感器芯片及其制备方法

本发明涉及超微压力传感器，特指纳米硅薄膜四岛-梁-膜传感器芯片及其制备方法。所述传感器芯片为正方形，采用单晶硅作为芯片材料，纳米硅作为敏薄电阻材料；芯片有效区域为正方形，其背面由4个大岛和4个小岛组成，小岛位于大岛之上；有效芯片区域的正面由1个中央梁、2个边缘梁、2片平膜区域及2片梁膜区域构成，中间梁和边缘梁上设有纳米硅材料做成的电阻。本发明利用了双岛梁膜的优点，岛与梁的结合，起到了二次应力集中的效果，提高了传感器的灵敏度和线性度，将四个电阻分别放在中间梁和边缘梁上，通过电阻将应力转化为阻值的变化。中间与边缘的电阻变化大小相等、符号相反，通过惠斯通电桥，采用恒流源激励，实现对超微压力的测量。