Method of manufacturing a photoelectric conversion element and a photoelectric conversion device and a photoelectric conversion element

【課題】 バッファ層上にさらに窓層などを積層する場合、耐湿性、耐プラズマ性が劣ってしまうため、窓層を形成した時にバッファ層および光吸収層に損傷が入り易くなって、信頼性の点から変換効率を満足しなくなることがあった。 【解決手段】 下部電極層上に設けられた、Ｉ−Ｂ族元素、III−Ｂ族元素およびVI−Ｂ族元素を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられた、III−Ｂ族元素およびVI−Ｂ族元素を含む第１半導体層と、該第１半導体層上に設けられた、II−Ｂ族元素の酸化物を含む第２半導体層とを有し、前記光吸収層は、II−Ｂ族元素を含むドープ層領域を前記第１半導体層側に有する光電変換素子である。