II—VI族半导体激光器的新材料——ZnO量子点

1999 
介绍了研制Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径--自组织生长ZnO量子点微晶结构、ZnO已经实现了室温下光泵激发的受激发射,它将是继Ⅱ-Ⅵ族硒化物、Ⅲ-Ⅴ经物之后的又一种半导体激光器材料。
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