Pile solaire de grande efficacité avec couche absorbante d'arséniure de gallium

Cette invention concerne un procede consistant a former une couche a base d'arseniure de gallium (GaAs) a partir d'un precurseur en solution. La couche a base d'arseniure de gallium (GaAs) formee avec ce precurseur peut aider les piles solaires a augmenter l'absorption de la lumiere et l'efficacite de conversion. Dans un mode de realisation, le procede de formation de la pile solaire consiste a former une premiere couche avec un premier type de dopants sur la surface d'un substrat, a former une couche a base de GaAs sur la premiere couche, puis a former une deuxieme couche avec un deuxieme type de dopants sur la couche a base de GaAs.