Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
2017
А.А. Блошкин
А. И. Якимов
В А Тимофеев
А.Р. Туктамышев
А И Никифоров
В.В. Мурашов
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]