A process for producing an n-type semiconducting indium thin film

Verfahren zur Herstellung einer n-halbleitenden Indiumsulfid-Dunnschicht (In 2 S 3 ) auf einem beheizten Substrat mit einem Indium enthaltenden Precursor (PR In(g/fl) ) und Schwefelwasserstoff (H 2 S) als reaktivem, gasformigem Precursor und einem inerten Tragergasstrom (IG) in nachstehend aufgefuhrten Verfahrensstufen bei Atmospharendruck: VERFAHRENSSTUFE I: • Uberfuhrung des Indium enthaltenden Precursors (PR In(g/fl) ), der selbst einen hohen Dampfdruck besitzt oder mit einem Losungsmittel ein fluchtiges Addukt bildet, in eine geloste oder gasformige Phase, • Sprayen des gelosten oder Leiten des gasformigen Indium enthaltenden Precursors (PR In(g/fl) ) auf das auf eine Temperatur (T) 100°C ≤ T ≤ 275°C beheizte Substrat (SU) und simultanes Zufuhren einer solchen Menge von Schwefelwasserstoff (H 2 S) zum gelosten oder gasformigen Indium enthaltenden Precursor (PR In(g/fl) ), dass sich eine absolute Konzentration (K H2S ) des Schwefelwasserstoffs (H 2 S) von 0 < K H2S ≤ 1 Vol% in einem Mischgebiet (MP) ergibt, und Leiten des Mischprecursors aus Tragergas (IG), Indium enthaltendem Precursor (PR In(g/fl) ) und Schwefelwasserstoff (H 2 S) auf das beheizte Substrat (SU),...