Ｃｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット材、それを用いた薄膜トランジスタ配線及び薄膜トランジスタ

【課題】高いバリア性を有するＣｕ−Ｍｎ合金膜を形成する。 【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット材１０であって、濃度が８原子％以上３０原子％以下のＭｎと、不可避的不純物とを含むＣｕ−Ｍｎ合金からなり、Ｃｕ−Ｍｎ合金の平均結晶粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下である。 【選択図】図１