Procédé perfectionné de fabrication de cmos

Des recuits a ultra haute temperature (UHT) au-dessus de 1200 C pendant moins de 100 millisecondes pour des transistors PMOS reduisent des dislocations de fin de plage, mais sont incompatibles avec des couches par technique de memorisation de contrainte (SMT) utilisees pour ameliorer un courant d'etat passant de NMOS. Cette invention inverse l'ordre classique de formation des NMOS, par formation en premier d'un PSD a l'aide de co-implantations de carbone et par recuit UHT de ceux-ci avant l'implantation du NSD (162) et le depot de la couche SMT (166). Des densites de dislocation de fin de plage dans la region de charge d'espace PSD (144) en dessous de 100 cm2 sont obtenues. La contrainte de traction a partir de la couche SMT du PMOS est reduite de maniere significative. Le PLDD (124) peut aussi etre recuit a ultra haute temperature pour reduire les dislocations de plage de fin a proximite du canal PMOS.