Effect of a Tilted Magnetic Field on Energy Quantization and the Einstein Relation in Quantum Wires of Semiconductors

A perturbational approach is used to investigate the effect of a tilted magnetic field on the energy eigenvalues and the diffusivity-mobility ratio (the Einstein relation) of the electrons in a quantum wire (a quasi-one-dimensional structure) of an n-type wide-gap semiconductor having a rectangular cross-section. The results computed corresponding to the temperature 4.2 K are presented, taking degenerate n-GaAs as an example. Mit einer storungstheoretischen Naherung wird der Effekt eines gekippten Magnetfeldes auf die Energieeigenwerte und die Einsteinbeziehung fur Elektronen in einem Quantendraht (quasi-ein-dimensionale Struktur) fur einen n-breitbandigen Halbleiter mit rechtwinkligem Querschnitt untersucht. Die fur eine Temperatur von 4,2 K berechneten Ergebnisse, fur entartetes n-GaAs als Beispiel, werden prasentiert.