Développement de microcommutateurs MEMS RF à contact ohmique à faible tension d'actionnement

Malgre d'excellentes caracteristiques hyperfrequences (faibles pertes, faibles consommation, compacite et excellente linearite), les microcommutateurs MEMS RF a actionnement electrostatique presentent des performances limitees telle qu'une vitesse de commutation trop faible, une encapsulation couteuse, et une tension d'actionnement trop elevee. Dans ce contexte, plusieurs configurations de commutateurs (capacitif ou ohmique, serie ou parallele) sont proposees pour atteindre l'objectif de faible tension d'actionnement. Les dernieres etudes realisees sur des microcommutateurs capacitifs montrent qu'il est difficile d'obtenir un contact capacitif parfait pour une tension d'actionnement faible. Pour supprimer ce probleme lie au contact capacitif, une nouvelle filiere technologique de microcommutateurs serie et parallele a contact ohmique est developpe. L'objectif est de minimiser la resistance de contact pour obtenir les meilleures performances micro-ondes tout en gardant une tension d'actionnement faible.