بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسانگرد سیلیکون در محلول TMAH

این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان­گرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم­ تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظت­های مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oC 70، oC 80 و oC90 انجام شد. نتایج نشان می­دهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می­یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظت­های بیشتر از 10% کاهش می­یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h62 در غلظت­10% و دمای oC 90 است. تصاویر SEM نشان می­دهد که در سطح سیلیکون برآمدگی­های شبیه به تپه­های هرمی شکل کوچک ظاهر می­شود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری ­با افزایش غلظت TMAH کاهش می­یابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در TMAH  با غلظت­های بالا، صاف­تر می­باشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه نسبت به صفحه برای TMAH با غلظت­10% به دست آمده است که مقدار آن 6/10 است. زدایش سیلیکون با TMAH در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.