Connection between electrical and deformation characteristics of PbS crystals

The influence of plastic deformation on temperature dependence of carrier concentration n and mobility μ in PbS crystals has been studied. Comparison of the results obtained with selective etching patterns from original and deformed crystals makes it possible to conclude that during the plastic deformation there takes place a dissolution of precipitates by passing of dislocations through them. As a results, rows of point defects appear along the path of dislocation movement which may be the cause of a change in n and μ due to deformation. A change in the electron scattering mechanism below 110 K has been discovered. Der Einflus der plastischen Deformation auf die Temperaturabhangigkeit der Tragerkonzentration n und die Beweglichkeit μ in PbS-Kristallen wurde untersucht. Ein Vergleich der Ergebnisse mit den Atzfiguren aus selektiver Atzung des Originals und der deformierten Kristalle ermoglicht die Schlusfolgerung, das wahrend der plastischen Verformung dadurch eine Auflosung von Ausscheidungen auftritt, das die Versetzungen durch diese hindurchwandern. Im Ergebnis erscheinen Punktdefektreihen entlang der Bewegung der Versetzungen, die – verursacht durch die Verformung – eine Anderung von n und μ hervorgerufen haben konnten. Eine Anderung in dem Mechanismus der Elektronenstreuung unterhalb 110 K wurde gefunden.