Procede et appareil destines a former une interconnexion

L'invention concerne un procede et un appareil destines a former une interconnexion de taille reduite dans un circuit integre a grande echelle fabrique sur un substrat semi-conducteur. Ledit procede consiste a preparer un substrat comportant une surface sur laquelle sont formes des evidements de taille reduite, a preparer un liquide de dispersion de particules ultrafines par dispersion de particules ultrafines dont une partie au moins contient un metal dans un solvant specifie, a acheminer ce liquide de dispersion de particules ultrafines vers les evidements de taille reduite, a traiter par voie thermique ledit substrat de facon a fondre et lier le metal, puis a eliminer le metal restant de la surface dudit substrat par polissage chimico-mecanique. Une couche de metallisation de haute qualite peut etre deposee de maniere stable au moyen de materiaux peu couteux.