Fotoluminiscencia de películas semiconductoras de Ga1-xInxAsySb1-y crecidas por epitaxia en fase líquida

En este trabajo se reporta la respuesta optica en el rango del infrarrojo medio, obtenida por medio de la tecnica de fotoluminiscencia a baja temperatura, de peliculas cuaternarias de Ga1-xInxAsySb1-y crecidas por Epitaxia en Fase Liquida. Las muestras fueron crecidas a partir de soluciones ricas en In, sobre sustratos monocristalinos de GaSb dopados con Te, con orientacion (100). Se realizaron mediciones en diferentes puntos de las muestras permitiendonos asociar la respuesta optica con la homogeneidad del material fabricado y la morfologia superficial del material a escala microscopica. Asi mismo, el valor del ancho a la altura media de los picos de fotoluminiscencia muestra cualitativamente que las peliculas poseen buena calidad cristalina. Se determinaron las posiciones del exciton libre y de los excitones ligados para una de las muestras y se analizo su variacion energeti-ca con la temperatura.