Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik

Eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage (1) hat ein Beleuchtungssystem (4) mit einer Beleuchtungsoptik (5) zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes in einer Retikelebene (6). Eine Lichtverteilungseinrichtung (12a), die ein Lichtablenkungs-Array (12) aus Einzelelementen umfasst, sowie eine optische Baugruppe (21, 23 bis 26), die die von der Lichtverteilungseinrichtung (12a) in einer ersten Ebene (19) der Beleuchtungsoptik (5) vorgegebene Lichtintensitatsverteilung in eine Beleuchtungswinkelverteilung in der Retikelebene (6) umsetzt, gehort ebenfalls zur Beleuchtungsoptik (5). Eine orts- und zeitaufgeloste Detektionseinrichtung (30) wird nach einer im Lichtweg zwischen dem Lichtablenkungs-Array (12) und der Retikelebene (6) positionierten Auskoppeleinrichtung (17) derart mit ausgekoppeltem Beleuchtungslicht (31) beaufschlagt, dass die Detektionseinrichtung (30) eine der Lichtintensitatsverteilung in der ersten Ebene (19) entsprechende Lichtintensitatsverteilung erfasst. Mit der Detektionseinrichtung (30) kann insbesondere mit einer zeitlichen Variation von Einzelelementen oder Gruppen von Einzelelementen deren Einfluss auf die Lichtintensitatsverteilung in der ersten Ebene (19) bestimmt werden. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, bei der die Funktion des Lichtablenkungs-Arrays wahrend des Normalbetriebs erfolgt.