플래시 메모리 소자의 형성 동안 비트 라인 접점과 비트 라인을 형성하는 방법 및 비트 라인과 비트 라인 접점을 포함하는 소자

제1 및 제2 비트 라인을 상이한 레벨로 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 동안에 사용되는 방법이다. 비트 라인을 상이한 레벨로 형성하는 것은, 종래의 공정으로서 포토리소그래피 한도를 혹사할 수 있는 비트 라인들 사이의 이격에 특히 관련하여서, 처리 허용 범위를 증가시킨다. 상기 방법을 이용하여 형성되는 반도체 소자와, 반도체 소자를 포함하는 전자 시스템이 또한 기술된다.