Field effect transistor of SiC for high temp. application, use of such transistor and method for production thereof

用于高温应用的SiC场效应晶体管具有与其中设置了栅极(12)的前表面(14)垂直分开的源区层(4)、漏区层(5)和沟道区层(6、7),在晶体管工作时用于减小所述前表面的电场,在作为气体传感器工作情况下,容许除了栅极以外的所有电极被保护而不暴露于气氛。