Procédé et système pour une terminaison conjointe dans des matériaux de nitrure de gallium à l'aide de modulation de conductivité

L'invention concerne une structure semi-conductrice qui comprend un substrat a base de nitrure de gallium (GaN) ayant une premiere surface et une seconde surface opposee a la premiere surface. Le substrat a base de GaN est caracterise par un premier type de conductivite et une premiere concentration de dopant. La structure semi-conductrice comprend egalement une premiere couche epitaxiale a base de GaN du premier type de conductivite, couplee a la seconde surface du substrat a base de GaN, et une seconde couche epitaxiale a base de GaN d'un second type de conductivite, couplee a la premiere couche epitaxiale a base de GaN. La seconde couche epitaxiale a base de GaN comprend une region de dispositif active, une premiere region de terminaison conjointe caracterisee par une region d'implantation ayant un premier profil d'implantation, et une seconde region de terminaison conjointe caracterisee par une region d'implantation ayant un second profil d'implantation.