Couche conductrice pour tirage de film semi-conducteur a orientation bi-axiale

cette invention concerne une couche conductrice pour tirage d'un film semi-conducteur a orientation bi-axiale et une structure a semi-conducteur a film mince telle qu'un photodetecteur, une pile photovoltaique ou une diode electroluminescente comprenant un film semi-conducteur a orientation cristallographique dispose sur la couche semi-conductrice. La structure a semi-conducteur a film mince comprend les elements suivants : substrat ; premiere electrode disposee sur ce substrat ; et couche semi-conductrice deposee epitaxialement sur la premiere electrode. La premiere electrode comprend une couche gabarit deposee sur le substrat et une couche tapon deposee epitaxialement sur la couche gabarit. Cette couche gabarit comprend un premier nitrure de metal qui est electriquement conducteur et dote d'une structure cristalline en cristal de sel. La couche tampon comprend un second nitrure de metal qui est electriquement conducteur. La couche semi-conductrice est deposee epitaxialement sur la couche tampon. Est egalement decrit un procede de fabrication d'une telle structure a semi-conducteur a film mince.