Dependencia de rugosidad de escala con la temperatura

espanolSe realizo un estudio estadistico cuantitativo en imagenes obtenidas con un Microscopio de Fuerza Atomica (AFM) de peliculas delgadas de La2/3Ca1/3MnO3 (LCMO). Las peliculas fueron crecidas mediante la tecnica de Sputtering DC a altas presiones oxigeno, con un espesor de 78nm sobre substrato monocristalino de (100)-SrTiO3 variando sistematicamente la temperatura deposicion (Td). Las peliculas fueron caracterizadas por medidas resistencia en funcion de la temperatura para determinar la temperatura de transicion metal-aislante (TMI). Se realizo un analisis morfologico a las muestras mediante la tecnica de Microscopia de Fuerza Atomica. De las imagenes digitalizadas se obtuvo el valor de exponente de rugosidad (a), longitud de correlacion (?//) y Rugosidad de saturacion (ssat). A partir de la caracterizacion electrica y morfologica, se correlacionaron los parametros de rugosidad para cada temperatura de deposicion. Se encontro que al aumentar Td, el exponente de rugosidad (a) aumenta indicando un aumento del ordenamiento estructural debido a los procesos difusivos. De la caracterizacion electrica se obtuvo que la temperatura de transicion metal-aislante (TMI) aumenta a medida que aumenta Td, lo cual corrobora el aumento de ordenamiento estructural. EnglishA quantitative statistical study was done on digitized atomic force microscope (AFM) images of La2/3Ca1/3MnO3 (LCMO) thin films. Films were grown via sputtering technique at high-oxygen pressures, with 78 nm layer thicknesses on (100) oriented SrTiO3 substrate. We have systematically varied the substrate temperature during deposition between 700oC and 880oC, around the optimized growth temperature of 850 °C to study the influence of the growth parameters on the properties of the films. The films were characterized by thermal resistivity measurements to determine the insulator to metallic phase transition temperature existing in this material in block and in thin films. By using a specific self-designed algorithm, we can extract from digitized AFM-images the quantitative values of roughness parameters, i.e., interface width, lateral correlation length, and roughness exponent. Herein, we report substrate temperature dependence of the parameters describing roughness. We will correlate the growth parameters, roughness parameters and insulatormetal transition temperature in these ferromagnetic LCMO thin films.