Morphology of CIGS thin films deposited by single-stage process and three-stage process at low temperature

Cu (在里面， Ga ) Se2 (帝国参谋总长) 薄电影被一个单个阶段的过程和一个三阶段的过程在合作蒸发设备在低温度准备。二个方法扔的帝国参谋总长薄电影的相当不同的形态学被扫描电子显微镜学(SEM ) 描绘。帝国参谋总长薄电影的取向被 X 光检查衍射(XRD ) 和拉曼光谱分别地识别。通过分析二个准备过程的形成电影的机制，我们认为如此的差别的原因是三阶段的过程在低温度扔的电影演变从对 Cu 富有的然后回到 Cu 差的 Cu 差。在低温度的三阶段的过程导致 CIGS 薄电影与(220 )/(204 ) 比较喜欢取向，并且订的空缺混合物(OVC ) 层在这部电影的表面上被形成。这研究有大意义到大规模工业生产。