Wafer manufacturing processes

Es wird ein Wafer-Herstellungsverfahren zum Herstellen eines hexagonalen Einkristall-Wafers aus einem hexagonalen Einkristall-Ingot offenbart. Das Wafer-Herstellungsverfahren schliest einen Trennstartpunktausbildungsschritts mit einem Ausbilden einer modifizierten Schicht parallel zu der oberen Flache des Ingots und von Rissen ein, die sich von der modifizierten Schicht erstrecken, um dadurch in dem Ingot einen Trennstartpunkt auszubilden. Der Trennstartpunktausbildungsschritt schliest einen ersten Trennstartpunktausbildungsschritt mit einem Einstellen des Brennpunkts eines Laserstrahls von der oberen Flache des Ingots aus auf eine erste Tiefe ein, die N-Mal, wobei N eine ganze Zahl ist, die nicht weniger als 2 betragt, die Tiefe ist, die der Dicke des Wafers entspricht, und als nachstes Aufbringen des Laserstrahls auf den Ingot, um dadurch einen ersten Trennstartpunkt auszubilden, der aus einer ersten modifizierten Schicht und ersten Rissen, die sich von dieser erstrecken.